PTFA043002E V1

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

PTFA043002E V1 datasheet

• Маркировка
  PTFA043002E V1
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies PTFA043002E V1 Product Category: Transistors RF MOSFET Power RoHS: yes Configuration: Dual Transistor Polarity: N-Channel Frequency: 470 MHz to 860 MHz Gain: 16 dB Output Power: 300 W Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V Continuous Drain Current: 1.55 A Gate-Source Breakdown Voltage: 12 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Package / Case: H-30275-4 Minimum Operating Temperature: - 40 C Mounting Style: SMD/SMT Power Dissipation: 761 W Resistance Drain-Source RDS (on): 0.08 Ohms at 10 V Factory Pack Quantity: 1 Part # Aliases: FA043002EV1XP
• Количество страниц
  10 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet PTFA043002E V1.pdf
Файл формата Pdf 232,05 KB